中電海康集團磁旋存儲芯片生産基地

磁旋存儲器（MRAM）是一種新型高(gāo)端存儲器，特點包括納秒級讀寫速度、極高(gāo)重寫次數、掉電數據不丢失、極好(hǎo)的抗輻射和(hé)抗惡劣環境能(néng)力、能(néng)耗低(dī)等。

工(gōng)作(zuò)内容：暖通送風(fēng)系統、排氣系統、冷凍水(shuǐ)系統，CDA系統、PCW系統、中溫水(shuǐ)系統、PV系統、熱水(shuǐ)系統。